1.5μmInP/InGaAsMQW—LD驱动电路的设计

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:redmend
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讨论了由4个InP/InGaAsHBT构成的OEIC光发射机驱动电路的设计。研究结果表明,由最佳性能的HBT构成的驱动电路,其性能不一定就是最佳的,驱动电路的性能与激光器串联电阻有很大关系。本文对激光器的串联电阻为9Ω的情况,从几何参数优化设计一驱动,其调制带宽可达3.4GHz,脉码调制时,开关时间约为100ps。用它驱动一多量子阱激光器,脉码调制时,光信号响应开关时间约为288ps。
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