【摘 要】
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在固体电解质Na3.2Hf2Si2.2P0.8O12的Si位掺杂Nb,得到了具有NASICON结构的固体电解质Na3.2-xHf2NbxSi2.2-xP0.8O12(x=0~0.3)。掺杂量对固体电解质烧结性能和电性能的影响试验
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(51872090),河北省重点基金项目(E2017209260)
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在固体电解质Na3.2Hf2Si2.2P0.8O12的Si位掺杂Nb,得到了具有NASICON结构的固体电解质Na3.2-xHf2NbxSi2.2-xP0.8O12(x=0~0.3)。掺杂量对固体电解质烧结性能和电性能的影响试验结果表明,随着Nb掺杂量的增多,固体电解质变得致密,电导率先增大后减小。当Nb的掺杂量x=0.2时,固体电解质的室温电导率最大,为1.61×10^-3 S·cm^-1。直流极化法测得的不同温度下的离子迁移数均在0.99以上,证明了固体电解质主要是Na离子传导。
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