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介绍了以Si／SiO2系统构成的量子异或门的工作原理，研究了耦合不对称双量子点所构成的量子比特的电子隧穿特性．研究结果表明，通过栅压可很好地实现控制电子在两个量子点间共振隧穿，其隧穿时间随势垒厚度和量子点尺寸结构参数发生显著的变化．目前模拟的特征变化曲线表明，可获得实验上理想的隧穿时间(工作频率)和相应的栅压(工作电压)。