GaN／Al2O3（0001）的匹配机制及氮化的作用

来源 :北京同步辐射装置年报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wangwei4833250

【摘要】

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在Al2O3(0001）衬底上用MOCDVD方法进行了GaN的外延生长，通过X射线衍射（同步辐射源）研究了GaN和Al2O3(0001）的匹配关系。结果表明，经充分氮化的衬底上，GaN以单一的匹配方式沿[0001]方

【作者】

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徐科郑文莉等

【机构】

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中国科学院上海光学精密机械研究所,中国科学院北京高能物理研究所

【出处】

：

北京同步辐射装置年报

【发表日期】

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1998年1期

【关键词】

：

匹配机制氮化 GAN MOCVD 晶格匹配氧化铝衬底外延膜氮化镓外延生长

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在Al2O3(0001）衬底上用MOCDVD方法进行了GaN的外延生长，通过X射线衍射（同步辐射源）研究了GaN和Al2O3(0001）的匹配关系。结果表明，经充分氮化的衬底上，GaN以单一的匹配方式沿[0001]方向生长：在Al2O3(0001）衬底未经氮化或氮化不充分时，不同程度地出现了其它三种绕<11-20>晶带轴倾斜一定角度的匹配位向。指出了GaN/Al2O3(0001）的几种匹配方式的晶体学规律。GaN绕<11-20>晶带轴倾斜的匹配方式是其外延生长过程中降低和Al2O3

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