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本文利用X射线双晶衍射测量LPE生长的InGaAsP/InP异质结的R-C曲线,得到了异质结的垂直失配和水平失配.在考虑存在失配位错的情况下,计算了驰豫晶格失配、曲率半径和失配位错密度.指出了影响外延层R-C曲线半峰宽的因素.更多还原
InGaAsP／InP异质界面的X射线双晶衍射测量
【摘 要】
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本文利用X射线双晶衍射测量LPE生长的InGaAsP/InP异质结的R-C曲线,得到了异质结的垂直失配和水平失配.在考虑存在失配位错的情况下,计算了驰豫晶格失配、曲率半径和失配位错
【机 构】
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吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系长春130023,长春130023,长春130023
【出 处】
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吉林大学自然科学学报
【发表日期】
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1993年3期
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