PECVD及溅射/蒸发生长二氧化锡薄膜的成形技术

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针对二氧化锡薄膜常用的两种生长方法-等离子增强化学气相沉积(PECVD)及溅射/蒸发生长的不同特点,分别采用了两种不同的剥离工艺方案,由此实现了与IC加工工艺兼容良好的SnO2薄膜成形技术。
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