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宽禁带半导体金刚石、SiC和某些Ⅲ-Ⅴ碳氮化物的电学、热学、光学及力学特性优异,文中介绍了这些材料的电子学特性、器件应用和所存在的问题。
固态电子学中的宽禁带半导体材料
【摘 要】
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宽禁带半导体金刚石、SiC和某些Ⅲ-Ⅴ碳氮化物的电学、热学、光学及力学特性优异,文中介绍了这些材料的电子学特性、器件应用和所存在的问题。
【机 构】
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河北大学电子系
【出 处】
：
材料导报
【发表日期】
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1993年6期
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