【摘 要】
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<正> 一、前言 GaAs和InP的电子迁移率比硅大,禁带宽度比硅宽,有可能成为比Ge,Si更优越的半导体材料。1963年,继GaAs之后发现了InP的激光作用;同年,在InP和GaAs上都观察到微
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<正> 一、前言 GaAs和InP的电子迁移率比硅大,禁带宽度比硅宽,有可能成为比Ge,Si更优越的半导体材料。1963年,继GaAs之后发现了InP的激光作用;同年,在InP和GaAs上都观察到微波振荡,即耿氏效应。但是,由于材料制备工艺困难,InP器件没有进一步得到发展,与此相反,GaAs激光二极管和耿氏二极管却取得了惊人的发展,使GaAs成为占第三位的半导体材料。高压液封直拉工艺和气相、液相外延工艺的发展,使高质量InP晶体的供应成为可能,给深入研究InP材料的性质创造了条件。1970年,Hilsum等首次提出InP导带中的
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