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采用波长为308nm的XeCl脉冲准分子激光器，在5-50Pa的Ar气压下烧蚀高阻抗单晶硅（Si）靶。在烧蚀点正前方、距靶1．5cm处放置一个中心开孔直径为2mm的挡板，挡板后面上下对称放置两个极板，然后串联一个标准电阻接地，电阻大小为10Ω，利用高分辨数字存储示波器记录并测量回路中产生的瞬间电流来研究荷电粒子和纳米晶粒的电流响应。实验结果表明烧蚀产物中的正离子在气压为5Pa时到达极板上数量最多。纳米Si晶粒带正电并且随着气压的增加纳米Si晶粒下落到极板的数量呈现先增大后减小趋势，在气压为8Pa时达到最大