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期刊论文
硅中掺杂元素砷的三维微分析
硅中掺杂元素砷的三维微分析
来源 :光谱学与光谱分析 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cheqiu
【摘 要】
:
利用同步辐射X光微区分析和全反射X射线荧光分析技术测定了硅中掺杂元素砷浓度的三维分布,其中深度剖面分布的测定结果与二次离子质谱进行了对照,两者的一致性是比较满意的。
【作 者】
:
刘亚雯
范钦敏
【机 构】
:
中国科学院高能物理研究所
【出 处】
:
光谱学与光谱分析
【发表日期】
:
1997年4期
【关键词】
:
X射线荧光分析
硅半导体
砷掺杂
三维分布
Huminite
Fluorescent spectrum
I546
λmax
Q650500
【基金项目】
:
国家自科学基金
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利用同步辐射X光微区分析和全反射X射线荧光分析技术测定了硅中掺杂元素砷浓度的三维分布,其中深度剖面分布的测定结果与二次离子质谱进行了对照,两者的一致性是比较满意的。
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