PVD薄膜生长过程的计算机模拟

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运用KMC方法对金属Ti膜的生长过程进行了计算机模拟,在合理选用势函数和相关参数的基础上,全面考虑了表面上所有不稳定团簇粒子发生扩散迁移运动的可能性.在对粒子团簇进行统计分析时,提出根据粒子的不同颜色对粒子团簇进行统计的新方法.模拟结果表明,随基底温度的升高,团簇总数呈现下降趋势,最大团簇尺寸在温度高于350K时,有明显的长大.而沉积速率的变化对粒子团簇的分布和团簇尺寸的影响不大.
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