瞬态退火过程中高密度缺陷运动对PN结漏电流影响的机理

来源 :北京师范大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：johnwangjohn

【摘要】

：

5×1016cm-2的As高注量注入Si时,瞬态退火过程中出现高密度缺陷.它是由超饱和As浓度的存在造成的,其分布随退火时间增加而展宽.这种缺陷在退火过程中导致奇异扩展的出现.

【作者】

：

张通和周生辉吴瑜光罗晏

【机构】

：

北京师范大学低能核物理研究所,中科院上海冶金所离子束开放实验室

【出处】

：

北京师范大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

1990年1期

【关键词】

：

离子注入半导体退火 PN结漏电 As implantation into Si movement of high defect density mec

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5×1016cm-2的As高注量注入Si时,瞬态退火过程中出现高密度缺陷.它是由超饱和As浓度的存在造成的,其分布随退火时间增加而展宽.这种缺陷在退火过程中导致奇异扩展的出现.As浓度分布在高密度缺陷区与单晶区交界处出现拐点.拐点深度随退火时间加长而变深.高密度缺陷扩展结果导致PN结漏电流增加.讨论了缺陷运动对PN结漏电流影响的机理.更多还原

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