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探索了新型难熔栅W/WN工艺制备技术,通过SEM,XRD,SIMS,XPS等手段对WN,WN/GaAs特性作了分析。结果表明,溅射气压和N分压对W,WN薄膜特性有着显著影响,通过工艺条件的优化,制备的W/WN膜厚为360nm,方块分压为0.51Ω。利用SiO2作为退火包封层,780℃ 10s快速退火后,W/WN能够保持好的稳定性,在此基础上制备了肖特基二极管和自对准的GaAs MESFET。