发展了WN/W难熔栅自对准工艺。WN/W栅在850℃下退火，保持了较好的形貌。在此工艺基础上研制出了研制出了适用于互补逻辑电路的增强......

探索了新型难熔栅Ｗ／ＷＮ工艺制备技术，通过ＳＥＭ，ＸＲＤ，ＳＩＭＳ，ＸＰＳ等手段对ＷＮ，ＷＮ／ＧａＡｓ特性作了分析。结果表明，溅射气压和Ｎ分压对Ｗ，ＷＮ薄膜特性有着显著影响，通过工艺条件的优化，制备......