难熔栅自对准工艺相关论文
发展了WN/W难熔栅自对准工艺。WN/W栅在850℃下退火,保持了较好的形貌。在此工艺基础上研制出了研制出了适用于互补逻辑电路的增强......
探索了新型难熔栅W/WN工艺制备技术,通过SEM,XRD,SIMS,XPS等手段对WN,WN/GaAs特性作了分析。结果表明,溅射气压和N分压对W,WN薄膜特性有着显著影响,通过工艺条件的优化,制备......