【摘 要】
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采用第一性原理计算方法,研究了单层掺P石墨烯（P-SLG）能带结构及光学性质。结果表明,P-SLG能带带隙打开,由金属性质转变为半导体性质。P-SLG光吸收谱在2.57×104cm-1、8.23×10
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(项目编号:61701288)
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采用第一性原理计算方法,研究了单层掺P石墨烯（P-SLG）能带结构及光学性质。结果表明,P-SLG能带带隙打开,由金属性质转变为半导体性质。P-SLG光吸收谱在2.57×104cm-1、8.23×104cm-1和1.15×105cm-1处主要有3个峰值,在1.145 12×105cm-1处达到最大值。反射谱与吸收谱峰值相对应,在1.15×105cm-1处达到最大值,当频率大于1.5×105cm-1时,反射率不再发生变化。P-SLG电导率实部在8.23×104cm-1处达到最大值,峰值为1.5;虚部在1.15×105cm-1处达到最大值,峰值为1.25;当频率大于1.5×105cm-1实部和虚部无明显变化。
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