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利用多功能离子束增强沉积设备,采用三种不同工艺方法制备TiN薄膜,并对制备的TiN薄膜进行了AES,XPS,XRD,RBS和TEM等分析。结果表明:所制备的薄膜都有很好均匀性,TiN薄膜处在压应力状态;在溅射沉积的同时,在0-20keV范围内,N^+和Ar^+离子的轰击使得TiN薄膜的生长呈现不同择优取向;随着N^+离子轰击能量的增加,制备的TiN薄膜的晶粒增大。