GaN基HEMT电流崩塌现象相关的表面陷阱效应

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ssdmin

【摘要】

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采用脉冲测试方法研究了与GaN基HEMT电流崩塌相关的表面陷阱效应。对特制的无台面器件进行的实验证实了表面陷阱之间存在输运过程。数据表明,当栅应力持续时间足够长时,被充

【作者】

：

罗谦杜江锋卢盛辉周伟夏建新于奇杨谟华

【机构】

：

电子科技大学微电子学与固体电子学学院电子科技大学微电子学与固体电子学学院成都610054

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2008年1期

【关键词】

：

氮化镓表面态电流崩塌 GaN surface state current collapse

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采用脉冲测试方法研究了与GaN基HEMT电流崩塌相关的表面陷阱效应。对特制的无台面器件进行的实验证实了表面陷阱之间存在输运过程。数据表明,当栅应力持续时间足够长时,被充电的表面陷阱会达到某种稳态。该稳态是包含了陷阱俘获与释放过程的动态平衡态。

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