【摘 要】
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南京电子器件研究所基于76.2 mm(3英寸)0.1μm Ga N工艺,采用f_t/f_(max)分别为100 GHz/165 GHz的耗尽型晶体管设计,首次研制出16 Gb/s的3 bit DAC芯片。该芯片内核面积约为1
【机 构】
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微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所,南京国博电子有限公司南京电子器件研究所,
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南京电子器件研究所基于76.2 mm(3英寸)0.1μm Ga N工艺,采用f_t/f_(max)分别为100 GHz/165 GHz的耗尽型晶体管设计,首次研制出16 Gb/s的3 bit DAC芯片。该芯片内核面积约为1.20 mm×0.15 mm。图1为芯片照片,包括驱动及内核电路。图2为芯片400 Mb/s刷新率时输出三角波测试结果。图3为芯片最高16 Gb/s刷新率时输出测试结果。
Based on a 76.2 mm (3 inch) 0.1 μm Ga N process, Nanjing Institute of Electronics developed the first 16 Gb / s 3-bit DAC with a depletion transistor design with f_t / f max of 100 GHz / 165 GHz chip. The chip core area is about 1.20 mm × 0.15 mm. Figure 1 for the chip photos, including the drive and the kernel circuit. Figure 2 for the chip 400 Mb / s refresh rate triangle output when the test results. Figure 3 shows the result of the output test when the chip is up to 16 Gb / s refresh rate.
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