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采用高压ＬＥＣ工艺生长３ｉｎｃｋ掺Ｓｉ ＧａＡｓ单晶，掺杂浓度大于１＊１０＾１８／ｃｍ＾３，晶体位错密度小于１＊１０＾４／ｃｍ＾２。实验发现，采用ＰＢＮ坩埚和使用水含量较高的氧化硼做覆盖剂，固液交界面处均会产生浮渣，造成无法引晶。而实际掺杂量应为理论计算值的４倍以上。
LEC技术生长3inch掺Si GaAs单晶的研究
【摘 要】
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采用高压ＬＥＣ工艺生长３ｉｎｃｋ掺Ｓｉ ＧａＡｓ单晶，掺杂浓度大于１＊１０＾１８／ｃｍ＾３，晶体位错密度小于１＊１０＾４／ｃｍ＾２。实验发现，采用ＰＢＮ坩埚和使用水含量较高的氧化硼做覆盖剂，固液交界面处均会产生浮渣，造成无法引晶。而实际掺杂量应为理论
【机 构】
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信息产业部电子第四十六研究所
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2000年4期
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