【摘 要】
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目的 利用功能磁共振成像技术（fMRI）观察小脑各亚区在不同强度电刺激时的激活反应，探讨小脑对于痛觉调控的作用。方法 对10名右利手健康志愿者分别施加1倍痛阈、3倍痛阈两个不同
【机 构】
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西安交通大学第一医院影像中心,浙江大学邵逸夫医院放射科博士后流动站
【基金项目】
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中国博士后科学基金资助(2004035718)。
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目的 利用功能磁共振成像技术（fMRI）观察小脑各亚区在不同强度电刺激时的激活反应，探讨小脑对于痛觉调控的作用。方法 对10名右利手健康志愿者分别施加1倍痛阈、3倍痛阈两个不同强度的电刺激任务，同期进行全脑fMRI扫描，应用功能性神经图像分析（AFAI）软件包进行包处理以显示小脑激活的变化。结果 非伤害性电刺激（1倍痛阈强度）主要激活对侧小脑半球小叶Ⅵ、Ⅶ区和同侧小脑半球Ⅶ、Ⅷ区，以同侧半球的BOLD信号较强；伤害性电刺激（3倍痛阈强度）诱发的激活区主要位于同侧小脑半球小叶Ⅲ-Ⅵ区，对侧小脑半球Ⅵ区，前蚓
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