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随着IC工业的发展，对硅材料的质量提出了越来越高的要求。硅单晶中的非平衡少数载流子寿命(少子寿命)是一个被关注的表征材料性能的重要物理参数。本文通过表面光电压法(SPV)研究提出单晶工艺、退火前硅片的洁净程度及退火炉的洁净程度是影响寿命及内部金属沾污的三个重要因素。
用SPV法对影响硅片少于寿命因素的研究
【摘 要】
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随着IC工业的发展，对硅材料的质量提出了越来越高的要求。硅单晶中的非平衡少数载流子寿命(少子寿命)是一个被关注的表征材料性能的重要物理参数。本文通过表面光电压法(SPV)
【机 构】
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有研半导体材料股份有限公司
【出 处】
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世界有色金属
【发表日期】
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2003年12期
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