表面光电压法相关论文
少数载流子寿命是半导体材料的一项重要参数。本文介绍了微波光电导衰减法(μ-PCD)、涡流光电导衰减法(Eddy-PCD)及表面光电压......
随着IC工业的发展，对硅材料的质量提出了越来越高的要求。硅单晶中的非平衡少数载流子寿命(少子寿命)是一个被关注的表征材料性能的......
铁杂质是硅片制造过程中常见的重金属沾污，表面光电压(SPV)法可很好地用于测定P型硅中铁杂质。本文通过SPV法测试不同流程制造的P型......
表面光电压法近年来在半导体晶片的电学特性研究中发挥了重要作用。本文简述了该方法的测量原理，给出了直径１２５ｍｍ硅抛光片少子扩散长度及......
建立用ＳＰＶ法测量ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜少子扩散长度Ｌｐ的新的数学模型，推导出可供具有有任意输入端口的锁相放大器所使用的测量Ｌｐ的数学表达式，为改进测试过程......
