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介绍了沟槽MOSFET（TMOS）的器件特性。为获得更小的Rdson（导通电阻）·A（面积）值,讨论了在元胞间距尺寸缩小到1.4μm时,由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后,器件穿通风险加大。提出在不增加掩模版的前提下通过优化工艺,利用突起式结构以及沟槽式接触技术克服这一潜在风险,最终通过试验验证,得到了高稳定性低导通电阻的低压TMOS。