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采用sol-gel旋涂法在抛光硅晶面生长了高度C轴取向的ZnO薄膜.DSC以及XRD测试结果显示此溶胶系统的最佳退火温度为450℃左右,更高的退火温度将对薄膜的择优取向产生不利的影响.SEM显示薄膜表面致密、均匀、光滑,组成薄膜的颗粒尺寸在50～100nm,并显示出良好的C轴择优取向.
退火温度对sol-gel制备的ZnO薄膜的结构影响
【摘 要】
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采用sol-gel旋涂法在抛光硅晶面生长了高度C轴取向的ZnO薄膜.DSC以及XRD测试结果显示此溶胶系统的最佳退火温度为450℃左右,更高的退火温度将对薄膜的择优取向产生不利的影响
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2004年期
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