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硅片键合界面对功率管饱和压降的影响
硅片键合界面对功率管饱和压降的影响
来源 :半导体杂志 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ForeverCG1
【摘 要】
:
本文讨论了键合工艺及键合界面的存在对功率晶体管饱和压降的影响,指出严格的控制各种沾污,适当的选择衬底材料可降低界面垫垒。实验证明,用键合材料制作的功率管比深结扩散材料
【作 者】
:
詹娟
【机 构】
:
东南大学电子工程系
【出 处】
:
半导体杂志
【发表日期】
:
1996年4期
【关键词】
:
硅片键合
界面
功率晶体管
饱和压降
silicon bonding
interface
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本文讨论了键合工艺及键合界面的存在对功率晶体管饱和压降的影响,指出严格的控制各种沾污,适当的选择衬底材料可降低界面垫垒。实验证明,用键合材料制作的功率管比深结扩散材料制作的功率管饱和压降略有下降。
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