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分析了不同晶面上温度对6H-SiC MOSFET击穿特性的影响.以Si面为例,分析了温度对器件的击穿电压、临界电场、比导通电阻等物理量的影响.根据6H-SiC各向异性的特性,采用张量扩展将其扩展到C面,研究表明虽然在不同的晶面上器件的击穿电压不同,但其随温度的变化趋势是相同的,都具有正温度系数.