栅氧化层厚度相关论文
介绍了分别在干氧和氢氧合成两种不同工艺及不同栅氧层厚度情况下,CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律.并通过对其单管特性及内......
双极晶体管具有优良的特性,并且广泛应用在空间设备电子系统中。不同结构和不同栅氧化层GLPNP型晶体管对电离辐照损伤敏感性不同,......
在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上,通过求解泊松方程,建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型,其模型计算值......
基于MEDICI模拟软件,研究不同栅氧化层厚度和有效沟道长度对深亚微米NMOS器件的热载流子效应的影响。结果表明了,器件的热载流子......
随着CMOS技术进入深亚微米领域,CMOS器件薄栅氧化层厚度、PN结更浅及器件沟道更短,这就导致CMOS集成电路容易遭受ESD损害(只需较低......
低功耗嵌入式非易失存储器大多采用FN隧穿方式进行擦写操作,需要在存储单元栅极氧化层上施加强度高达1E9V/m的电场.由于数据保......
现代设计中,ESD已经被众多设计人员重视.就此,本文讨论了ESD问题及相关的解决方案.rn高集成度ESD解决方案rn随着IC制造技术的提升,......
利用自主开发的蒙特卡罗器件模拟软件,对n沟肖特基势垒隧穿晶体管(SBTT)的输出特性和转移特性进行了模拟,详细分析了沟道区掺杂浓......
通过改变Si-MOSFET的栅电压、源电压、漏电压和栅氧化层厚度等参数,分析和求解栅介质下载流子迁移率、沟道内电流密度、电场、雪崩......
提出了一种在45nm体硅工艺下使用双-栅氧化层厚度来降低整体泄漏功耗的方法.所提方法具有不增加面积和延时、改善静态噪声边界、对......
给出了一种利用FN振荡电流的极值测量超薄栅MOS结构的栅氧化层厚度和电子在栅氧化层民带中的有效质量方法。利用波的干涉垭处理电子隧穿......
反相器是几乎所有数字集成电路设计的核心,然而在针对反相器设计的大量研究当中,对于电阻负载型NMOS反相器的参数对NMOS反相器在性......