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通过分析电磁脉冲应力下，栅氧化层软击穿（MOS器件主要失效模式）的失效机理，得出结论：它符合基于随机过程的退化失效模型。根据此结论＋提出利用该模型来描述电磁脉冲应力下MOS器件的退化失效过程，并给出相应的退化失效模型。同时针对退化失效模型中的失效阈值问题，研究了随机失效阈值问题，分析了周期电磁脉冲应力下MOS器件的失效阈值问题，给出动态应力-强度干涉（SSI）模型。这些为更合理描述和分析MOS器件的退化失效问题提供了新的途径。