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介绍了一种基于溶液的廉价制备Al诱导晶化多晶硅薄膜的方法.先以低压化学气相沉积(LPCVD)方法制备50nm厚的非晶硅(amorphous silicon,a-Si)薄膜作为前驱物,通过旋涂的方法,将含有Al的盐溶液涂覆在a-Si薄膜表面,550-620℃下氮气氛围退火若干小时得到多晶硅薄膜.文中针对化学诱导源的种类、前驱物表面状况对晶化效果的影响进行了研究.发现只有反应生成物中含有偏铝酸根(AlO2^-)的碱性溶液才能发生诱导晶化,而若Al溶液浓度过低,则不能得到连续的多晶硅薄膜.a-Si表面若附有薄氧