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以氢稀释的硅烷和氢气为反应气体，利用PECVD法在玻璃衬底上生长非晶硅薄膜，然后在非晶硅薄膜上磁控溅射沉积金属铝膜。在外加横向电场的条件下，利用快速热处理炉对薄膜样品进行退火，成功地把非晶硅薄膜转化成多晶硅薄膜。该文研究了不同外加电场强度条件下对非晶硅薄膜晶化的影响。利用XRD、SEM等剥试方洼对薄膜样品的晶相结构、表面形貌进行了表征。实验结果表明，外加电场可以明显地降低退火温度，缩短退火时间，退火温度为500℃时，薄膜开始晶化。且随着外加电场强度的加大，薄膜的晶化程度增强，晶粒尺寸增大。