【摘 要】
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采用脉冲激光沉积(PLD)技术,分别在单晶硅基片和玻璃基片上沉积了NiZn铁氧体多晶薄膜,薄膜为单相尖晶石结构,在两种基片上都呈现出一定的(400)晶面的择优取向,但在硅基片上择
【机 构】
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无锡职业技术学院江苏无锡214073,苏州大学物理系江苏苏州215006
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采用脉冲激光沉积(PLD)技术,分别在单晶硅基片和玻璃基片上沉积了NiZn铁氧体多晶薄膜,薄膜为单相尖晶石结构,在两种基片上都呈现出一定的(400)晶面的择优取向,但在硅基片上择优生长更显著;随着基片温度t的升高,薄膜晶粒尺寸逐渐增大;在t=500 ℃附近饱和磁化强度Ms出现最小值,而矫顽力Hc出现最大值;对薄膜进行退火处理,可使细小晶粒长大和内应力减小,对改善较低温度条件下制备的薄膜的软磁特性具有明显作用.
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