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利用一种新技术，在低压（1．8V）条件下，设计了一种高性能的开关电流（SI）存储单元电路。该电路通过在基本存储单元基础上增加一个电压反转跟随器电路（FVF），从存储晶体管的输入端直接消除时钟馈通（CFT）误差电压，从而阻止了电流误差的产生，使得输出端的CFT误差电流降为原来的6％，并通过Hspice给出了仿真结果。结果表明所设计的电路方案正确有效。