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用308nm准分子激光对二氧化钛的陶瓷辐照,当能量密度高于阈值时,使其导电发生了显著的变化,室温下从原来的绝缘体转变为半导体。利用X射线衍射,X射线光电子能谱及显微分析等多种测试方法进行了分析,比较,稳定了该过程是由于高峰功率短脉冲的准分子激光对TiO2的快速熔凝作用,导致了氧的缺位,引起了化学配比偏离。