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测量了B位掺杂的钙钛矿结构锰氧化物La0．49Sr0．51(Mn1-xNb2)O3(x=0,0.05，0．15和0．25)的电阻率和磁化强度的温度特性．实验结果表明，当Nb^5+部分替代B位的Mn^4+离子时，电阻率-温度特性由原来单一的半导体型转变成了高温时的半导体(绝缘体)型和低温时的类金属型．随Nb掺杂量增大，电阻率迅速升高3～5个数量级，半导体(绝缘体)一类金属转变温度降低．在掺杂Nh的样品中，只观察到顺磁-铁磁转变，而未观察到铁磁一反铁磁转变．上述实验结果的一种可能解释是掺杂改变了磁有序时电子自