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用MOCVD方法在(100)LiAlO2衬底上研制出m面的非极性GaN薄膜材料.研究了不同生长条件对材料特性的影响.通过优化生长,获得了非极化m面GaN单晶薄膜.
m面非极性GaN材料MOCVD生长和特性
【摘 要】
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用MOCVD方法在(100)LiAlO2衬底上研制出m面的非极性GaN薄膜材料.研究了不同生长条件对材料特性的影响.通过优化生长,获得了非极化m面GaN单晶薄膜.
【机 构】
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南京大学物理系,中国科学院上海光学精密机械研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年期
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