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从系统自由能角度,阐明了MBE生长的InGaNAs量子阱材料在高温热退火过程中的结构和物理性能的变化。在热退火时,In-Ga互扩散和N-As互扩散引起spinodal分解,N原子趋向于与In结合形成In-N键,使InGaNAs材料的带隙增加,从而引起PL谱峰值的蓝移。
快速高温热退火对InGaNAs/GaAs量子阱的影响
【摘 要】
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从系统自由能角度,阐明了MBE生长的InGaNAs量子阱材料在高温热退火过程中的结构和物理性能的变化。在热退火时,In-Ga互扩散和N-As互扩散引起spinodal分解,N原子趋向于与In结
【机 构】
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山西综合职业技术学院轻工学院,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所山西太原030013,北京100083
【出 处】
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太原科技
【发表日期】
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2006年S2期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目[90201026],国家科技部“863计划”新材料技术领域光电子主题“十五”课题[2002AA312080]
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