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利用分子束磊晶（ＭＢＥ）物方法在低温成长掺杂杂质Ｂｅ的ＧａＡｓ化合物半导体，Ｂｅ将促使Ａｓ于超晶格的界面中沉淀析出而形成二维的砷析出物分布矩阵。为了探讨Ａｓ于超晶格的界面中沉淀析出的机制，在２３０℃成长掺杂杂质Ｂｅ之ＧａＡｓ层不与含Ｂｅ之ＧａＡｓ层各３０ｎｍ，如此循环１５个周期，并在类似条件下，将掺杂杂质Ｂｅ之ＧａＡｓ层与不含Ｂｅ与ＧａＡｓ层以厚度分别为３０，４０，５０，６０，７０和８０ｎｍ３个周