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硅基场致发射光电探测器及硅锥阴极工艺研究
硅基场致发射光电探测器及硅锥阴极工艺研究
来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:rosy888888
【摘 要】
:
半导体硅锥的场致发射所具有的饱和特性可以用于制造一种新型的光电探测器,本文介绍了这种光电探测器的基本原理和构造,并对其光电阴极的核心部件——硅锥阴极的工艺进行了实
【作 者】
:
关辉
朱长纯
【机 构】
:
西安交通大学电子工程系,西安交通大学电子工程系西安710049,西安710049
【出 处】
:
半导体光电
【发表日期】
:
1993年2期
【关键词】
:
场致发射
硅锥
光电探测器
Field Emission
Silicon Cones
Photodetector
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半导体硅锥的场致发射所具有的饱和特性可以用于制造一种新型的光电探测器,本文介绍了这种光电探测器的基本原理和构造,并对其光电阴极的核心部件——硅锥阴极的工艺进行了实验研究。更多还原
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