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,0.15-μm T-gate In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As InP-based HEMT with fmax of 390 GHz
【机 构】
：
School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China“,”Institute of Microelectronics,
【出 处】
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中国物理B（英文版）
【发表日期】
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2013年12期
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