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本文描述双极场引晶体管（BiFET）短沟道理论．晶体管分成两个区域，源区和漏区．每区在特定外加端电压下既可为电子或空穴发射区又可为电子或空穴收集区．把两维无缺陷Shockley方程分离为两个以表面势为参变量的一维方程，并运用源区和漏区界面处电子电流和空穴电流连续性，得到在源区和漏区内解析方程．典型BiFET包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅（MOS）栅．用图形提供实用硅基和氧化层厚度范围内，随直流电压变化，输出和转移电流和电导总量，电子沟道与空穴沟道分量，和两区电学长度．报道前没考虑沟道缩短的偏差．