2002“新文化运动陈列”

来源 :中国博物馆 | 被引量 : 0次 | 上传用户:quan777
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
“新文化运动陈列”是北京新文化运动纪念馆在2002年4月推出的主题陈列,陈列设在红楼院内东侧平房,面积180平方米。该展通过90多张图片、60多件文物,再现从辛亥革命到中国共产党成立的五四新文化运动历史。门票一套四张,连起来上部为北京新文化运动纪念馆中英文名称,下部为五四运动的经典照片:北京高等师范学校学生欢迎在五四当天被捕的同学返校,举起斗争中的英雄。
其他文献
在正统单电子理论的基础上,使用主方程方法,对金属隧道结组成的单电子晶体管进行了I-Vg和I-Va特性曲线的数值模拟。在单电子晶体管中,电子能否隧穿通过势垒,主要是由电子隧穿引起
对于一个非线性非保守的电子网络,根据等效推力理论,可以求出变阻尼力在一周期中贡献能量的等效平均值Df。文中在等效推力的基础上,提出基波平衡原理。若在适当端口施加正弦电压
学业心理健康是三年制男性幼师生心理健康的重要构成。本研究通过问卷调查,运用统计工具分析,研究三年制男性幼师生学业焦虑感及其各种来源因素的相关性。研究结果显示:学业
在分子束外延系统中,利用3nm GaAs薄盖层将InAs自组装量子点部分覆盖,然后在500℃以及As2气氛中退火一分钟,制成纳米尺度的InAs量子环。这一形成敏感地依赖于退火时的生长条件和
研究了新型SiCMOS电容的制备工艺。采用干O2+CHCCl3(TCE)热氧化方法生长6H-SiCMOS氧化层。研究了TCE浓度与SiC/SiO2界面态电荷密度和氧化层电荷密度和应力下平带电压漂移的关
提出了声表面波器件二阶效应的等效电路模型,它应用P矩阵法从理论上推导了声表面波器件二阶效应表达式,得到表征二阶效应的电特性参数,应用电网络理论综合出具有相同电特性的等
古陶器的保管是一件十分棘手的事.素有陶瓷古国之称的中国陶瓷遗留物相当丰富.作者通过长期实践,对国内各级博物馆占有较大比重的陶瓷藏品,提出一套完整的保管方法,包括:陶瓷
在文化多元化产生诸多社会问题的当代中国,中共中央高度重视培育和践行社会主义核心价值观,特别是对青年大学生的核心价值观的培育成为重中之重。马克思主义基本原理概论是高
提高LDMOS的一个关键步骤是加场极板以降低其表面击穿电压.文中分析了加场极板后的LDMOS击穿电压模式,指出了场极板的分压作用和场极板边界的影响,得到了其击穿电压的计算公
在增益增强型运算放大器优化中采用了自动设计方法,此方法在电路性能方程式和自适应遗传优化算法基础上对电路性能指标进行优化。该放大器在0.18μm CMOS工艺条件下中开环增益