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BiCMOS工艺对晶体管的工艺条件设计提出了更高的要求。结合实际BiCMOS工艺，借助专业TCAD模拟软件ISE，模拟了晶体管基区注入和退火等工艺条件对VNPN晶体管的电流增益β和击穿电压BVCEO的影响，给出了优化的设计方案。在线流片结果表明优化后：晶体管β=47，[BV]CEO=9．5V，达到了低频功率晶体管的应用要求，同时保证了BiC-MOS工艺中的CMOS器件性能不变，并且工艺稳定可在线量产。因此这种优化设计是可取的。