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对内部无缺陷的单晶硅纳米级磨削过程进行了分子动力学仿真，从磨削过程中瞬间原子位置、磨削力、原子间势能、损伤层深度等角度研究了纳米级磨削加工过程，解释了微观材料去除、表面形成和亚表面损伤机理。研究表明：磨削过程中，单晶硅亚表面损伤的主要形式是非晶结构形式，无明显的位错产生，硅原子间势能的变化是导致单晶硅亚表面损伤的重要原因；另外，发现磨粒原子与硅原子之间有黏附现象发生，这是由于纳米尺度磨粒的表面效应而产生的。提出了原子量级条件下单晶硅亚表面损伤层的概念，并定义其深度为沿磨削深度方向原子发生不规则排列的原子层