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介绍了一种用直流氩等离子体对硅粉刻蚀提纯的方法。实验结果表明硅粉纯度可由99．6％提高到99．95％。处理后的硅粉还可进行熔化-固化-粉碎再处理，因此这是一种技术上可行的太阳级硅制备新方法。文中还应用反应室鞘层厚度、硅粉沉降平均速度、考虑高能中性粒子刻蚀作用的刻蚀速率方程等进行理论分析，结果显示，在一定的工艺参数下，刻蚀提纯是有效的，并与实验结果相近。这也为粉体表面刻蚀研究提供了一种新的手段。