直流等离子体相关论文
本文采用正交实验方法,在一个30kW直流等离子体电弧炉中研究氧硅比(O/Si)、碱基度(B)、重金属浓度(C)、处理温度(T)、处理时间(t)、飞......
作者用4Cr5MoVlSi及3Cr2W8V两种热模具钢试样进行了等离子体增强化学气相沉积(PCVD)TiN的工艺试验,探讨了PCVD TiN工艺参数对膜基......
直流等离子体离子化检测器是60年代发展起来的。Lovelock等人首先采用氦气为工作气体,研究成功在减压条件下工作的直流等离子体检......
郎缪尔探针在测量低气压直流等离子体中被广泛应用。而在生成等离子体时,出于保护或其他目的,需在放电装置中设置接地点。通过实......
在SOI材料的制备技术中,为了减少离子的浪费和提高注入能量,避免采用更大的真空室和高压脉冲调制器,本文提出了直流等离子体浸没式......
用直流等离子体研制出了纳米ZrO粉末。发现原料Zr粉的颗粒大小影响着ZrO的粒径大小。用25UM-40UM的Zn粉做了粒径小于50NM的ZNO粉末......
介绍在等离子体弧符合局部热力学平衡条件下,计算自由燃烧弧的温度、速度和电势场分布的方法.把计算结果与用电荷耦合器件技术的光谱......
一、渗氮技术发展历史的简单回顾渗 氮是通过在金属表面渗入氮原子获得强化的一种金属表面热处理工艺。在脉冲等离子体渗氮技术诞......
介绍了一种用直流氩等离子体对硅粉刻蚀提纯的方法。实验结果表明硅粉纯度可由99.6%提高到99.95%。处理后的硅粉还可进行熔化-固化-粉......
为替代污染严重的电石法制乙炔工艺,寻求一条洁净化乙炔生产工艺,利用100 k W直流等离子体装置进行了焦化厂焦炉煤气与解析气制乙......
本文研究了直流等离子体CVD法制备C-BN薄膜。在衬底温度850℃和放电电流密度4A/cm^2条件下,c-BN膜生长速率可达10μm/h反应气体是B2H6+NH3+H2,并且工作压强为13-26kPa。......
在低温(300-500K)常压下,考察了不同性质的添加气二氧化碳(CO2)、氩气(Ar)和氢气(H2)(添加气摩尔浓度0%~80%)对直流冷等离子体转化甲烷制C2烃反应......
采用直流等离子体喷射化学气相沉积(DCPJCVD)制备曲面金刚石膜,等离子体稳定性对金刚石膜生长十分重要。研究表明,曲面金刚石膜长时......
本实验利用直流等离子体法制备了Cu纳米粉末,并系统研究了工艺参数对Cu纳米粉末粒子产率、粒径和粒径分布规律的影响。正交实验、......
通过在传统热丝化学气相沉积装置中引入直流等离子体,设计了直流等离子体-热丝化学气相沉积金刚石薄膜的设备,设备中既包括相互独立......
采用DC-PCVD方法,控制工艺参数,在GCr15钢试样上获得40μm厚的,以Si3N4为主要成分的非晶态绝缘薄膜,沉积速率约为37A/s,讨论了沉积速率高的原因。......
本文研究了直流等离子体CVD金刚石膜在常温和液氮温度下的阴极发光光谱,探讨了阴极发光谱中各峰的起因,并分析了光谱随测量温度和沉积条......
采用直流等离子体CVD法制备了金刚石膜,利用X射线衍射、光学显微镜、扫描电镜、激光拉曼光谱等技术研究了金刚石膜的微观组织,晶粒......
研究了直流等离子体原子发射光谱光同时测定人发中的Zn,Mn,Cu,Fe,Ca。讨论了Ca和Mg和对Zn,Mn,Cu,Fe的干扰及对干扰的校正方法。对GBW09101进行了测定,结果与标准值吻合很好......
<正>1 引 言 单纯靠离子轰击加热的直流等离子体化学沉积 TiN在刀具、刃具及各种耐磨工件上的应用已取得良 好的结果,就其工......
化学气相沉积金刚石膜具有优异的热学、电学、声学、光学、力学等综合性能,在机械、电子、光学及生物工程等领域具有广阔的应用前......