论文部分内容阅读
浅谈燃煤电厂脱硫技术
【机 构】
：
山东省科学院能源研究所
【出 处】
：
山东能源
【发表日期】
：
1998年2期
其他文献
计算机和国际互联网的普及与发展，标志着以现代信息技术为基础、以信息化为标志的知识经济时代己经到来，传统会计所依存的社会经济环境正发生着革命性的挑战和变革，会计管理信息
【正】 前几年,极少数坚持资产阶级自由化立场的人鼓吹在中国实行西方的多党制,并以此来否定中国共产党的执政地位和领导作用。我们认为,西方的多党制完全不符合中国国情,中
用ＧＳＭＢＥ技术在国内首次研究了应变Ｓｉ１－ｘ Ｇｅｘ／Ｓｉ异质结材料的生长，并用Ｘ射线双晶线双晶衍射技术对样品进行了测试分析，对于Ｓｉ０．９１Ｇｅ０．０９和Ｓｉ０．８６Ｇｅ０．１４单层，其半宽度ＦＷＨＭ分别为１００〃和２０２〃，对于Ｓｉ０．８９Ｇｅ０．１１／Ｓｉ多量子阱，其卫星峰多达１５个以上，三种样品中
采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｓ－Ｓｉ：Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管。在１０￣１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性。结果指出，当反身偏压为－７￣－９Ｖ时，无论在σ－Ｖ还是在Ｉ－Ｖ特性曲线上都观测
通过能量为１００ｋｅＶ，剂量为１×１０＾１８ｃｍ＾－２的Ｎ＾＋注入到硅基体中，经１０００￣１２００℃之间快速退火后，形成了含氧的硅与氮化硅镶嵌结构的薄膜层。在室温下观察到主要来自于４５ｎｍ表面层的能量分别为３．３ｅＶ、３．０ｅＶ，２．８ｅＶ和２．２ｅＶ的光致发光。通过ＸＰＸ、
【正】 为了开创社会主义事业的新局面,所有的社会主义国家都在进行改革。而一切反共反社会主义的势力则利用这个机会,对社会主义国家发动了“和平演变”的全面攻势,以改变社
采用三极管型等离子体增强化学汽相淀积（TriodePECVD）系统，适当选取硅烷（SiH4）和氢气（H2）流量比制备纳米硅（nc-Si：H）薄膜．保持栅极偏压为－100V，改变SiH4、H2流量比可以得到薄膜从非晶硅（a－Si
本文针对我国高速公路交通及其管理系统的实际情况、发展智能交通系统的趋势，提出预防交通事故的技术措施；以缩短紧急救援对策的响应时间，提高救援的有效性和可靠性，恢复高速公路