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本文采用调制光谱方法测量了ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘ－Ａｓ双单量子阱材料的光调制反射光谱（ＰＲ），同时观察到了二个单量子阱中的带间激子跃迁，采用电场调制线形可以拟合出激子跃迁的能量，与简单的有限方势阱模型的计算符合。并且由调制反射光谱中的Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ振荡，计算得到材料表面内建电场约为２９．３ｋＶ／ｃｍ。