化学气相外延相关论文
使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在2英寸半绝缘6H碳化硅衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。2英寸HEMT外......
用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)方法在蓝宝石(A1203)衬底上生长GaN外延膜,用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析该外延膜的晶格......
Ⅳ元素Si和Ge是集成电路和太阳电池中最重要的材料,最近基于Si和Ge的纳米线材料引起了广泛关注,有望于进一步提高太阳器件、锂离子电......
中科院上海微系统与信息技术研究所通过引入气态催化剂的方法,实现了石墨烯单晶在六角氮化硼表面的高取向、快速生长。该所自2011年......
本文首次提出了一个用以分析GexSi1-x合金CVD生长的流体力学和表面反应动力学的统一模型。利用流体力学的偏微分方程组计算了反应管内的速度场......
结合流体力学和表面反应动力学分析了SiH2Cl2+GeH4+H2减压化学气相外延系统。计算和讨论了由于生长压力的变化而导致的反应管内速度分布,温度分析和......