【摘 要】
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基于密度泛函理论的赝势平面波方法计算了处于填隙位置磁性原子(MnI)对(Ga,Mn)As体系电子结构和磁性的影响. 计算结果表明MnI在GaAs中是施主;代替Ga位的MnGa与MnI的自旋按反
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,200083
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基于密度泛函理论的赝势平面波方法计算了处于填隙位置磁性原子(MnI)对(Ga,Mn)As体系电子结构和磁性的影响. 计算结果表明MnI在GaAs中是施主;代替Ga位的MnGa与MnI的自旋按反铁磁序排列;静电相互作用使MnGa,MnI倾向于形成MnGa-MnI对. MnI的存在一方面补偿了(Ga,Mn)As中的空穴,降低了空穴浓度;同时还使邻近的MnGa失活. MnI的存在对获得高居里温度的(Ga,Mn)As是极为不利的.
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