【摘 要】
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武汉高芯科技有限公司从2014年开始制备基于In As/Ga Sb II类超晶格的长波红外探测器。在本文中,报道了像元规模为640×512,像元间距为15?m的长波红外焦平面探测器。在77 K时
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武汉高芯科技有限公司从2014年开始制备基于In As/Ga Sb II类超晶格的长波红外探测器。在本文中,报道了像元规模为640×512,像元间距为15?m的长波红外焦平面探测器。在77 K时,器件的50%截止波长为10.5?m,峰值量子效率为38.6%,当F数为2、积分时间为0.4 ms时,测得器件的噪声等效温差为26.2 m K,且有效像元率达99.71%。本文通过分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)技术与成熟的III-V族芯片技术,成功地验证了在大于10?m的长波波段,用超晶格代替HgCdTe实现国产化并大规模量产的可行性。
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